論文詳細

工学部 自然科学系 #学術雑誌論文

CVD方法によるAlN膜合成のメカニズムと制御 (<特集>窒化アルミニウム(AlN))

AI解説:
この研究では、CVD法(化学気相成長法という方法で、気体の化学反応を利用して薄膜を作る技術です。)スパッタリング法(材料をイオンなどで叩いて飛び出した原子を利用して薄膜を作る技術です。)を使って薄い膜を作る仕組みについて調べています。特に、AlCl3とNH3を原料に使った常圧(通常の大気圧のことです。)CVD法でAlN(窒化アルミニウム)を作る方法に焦点を当てています。薄膜を作る条件として、温度や原料の種類、濃度、装置の形や流れの状況が再現性に大きく影響することが知られています。そのため、これらの要因がどうやって膜の作成プロセスに影響を与えるかを詳しく調査することが目的です。
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著者名:
小宮山 宏, 金 煕濬, 大沢 利男, 江頭 靖幸
掲載誌名:
セラミックス
巻:
26
号:
8
ページ:
759 - 763
発行日:
1991-03
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