論文詳細

工学部 自然科学系 #学術雑誌論文

CVD方法によるAlN膜合成のメカニズムと制御 (<特集>窒化アルミニウム(AlN))

AI解説:
本論文は、CVD法およびスパッタリング法を用いた薄膜形成のメカニズムを明らかにすることを目的としています。特に、AlCl3とNH3を原料とする常圧CVD法を用いたAlN(窒化アルミニウム)の合成に焦点を当てています。薄膜形成の条件として、温度、原料の種類や濃度、装置の形状や流れの状況が再現性に大きく影響することが知られています。そのため、これらの要因がどのように成膜プロセスに影響を与えるかを詳しく調査することが求められています。
AI解説を見る
著者名:
小宮山 宏, 金 煕濬, 大沢 利男, 江頭 靖幸
掲載誌名:
セラミックス
巻:
26
号:
8
ページ:
759 - 763
発行日:
1991-03
新潟大学学術リポジトリリンク: